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分析師稱三星 Exynos 2500 性能有望超越驍龍8 Gen 4

發布時間:2024-05-15 22:51:05來源: 15210273549

此前有報道稱,三星 明年的Galaxy S25系列可能搭載Exynos 2500,而2026年的Galaxy S系列將轉向"夢想芯片"。現在,又有新的報道稱,搭載 Exynos 2500 的 Galaxy S25 系列的性能可能超過高通驍龍 8 Gen 4 機型。

三星在 Galaxy S22 系列中使用了自主研發的 Exynos 2200 處理器。然而,過熱和性能遲緩等問題導致評價不高,這讓三星的產品策略發生了明顯轉變,隨后幾年所有Galaxy S系列都將采用高通驍龍SoC。

但回到今年,韓國、印度和中東等地區的 Galaxy S24 和 Galaxy S24+ 機型也采用了 Exynos 2400 處理器。不過,高端 Galaxy S24 Ultra 采用的是高通驍龍 8 Gen 3 處理器。

不過,整個 Galaxy S24 系列都配備了 Galaxy AI 功能,不僅高通處理器,Exynos 處理器也能很好地處理這些功能。這讓人們對 Exynos 處理器的品質充滿信心。值得注意的是,驍龍 8 Gen 3 處理器在性能上依然領先,但高性價比的 Exynos 也有接近的競爭力。

三星是全球首家量產3nm Gate All Around(GAA)工藝的公司,也是首家在半導體芯片中采用該技術的公司。本月早些時候,有報道稱三星正與全球電子設計自動化(EDA)公司 Synopsys 聯手大規模生產 3 納米芯片。

現在,根據BusinessKorea 的最新報道,三星計劃量產采用 3nm GAA 技術的 Exynos 2500用于明年的 Galaxy S25 系列。業內分析人士認為,采用 3nm 工藝生產的 Exynos 2500 采用了 GAA 技術,有助于限制能量泄漏和增加驅動電流,幫助其超越高通驍龍 8 Gen 4 處理器,尤其是在能效方面。

由于三星擁有GAA 技術并將生產 Exynos 處理器,而驍龍芯片組則由臺灣臺積電生產,因此 Exynos 工藝將憑借有利的 GAA 技術比競爭對手更具優勢。有報道稱,臺積電將采用第二代 3 納米工藝和 FinFET 晶體管生產高通驍龍 8 Gen 4 處理器。

不過,我們現在還不能下結論,因為實際結果將取決于 Exynos 和驍龍處理器在 Galaxy 設備上的優化使用情況。

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