10 月 30 日消息，韓媒 ETNews 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子已決定 2025 年初引進其首臺 ASML High NA EUV 光刻機，正式同英特爾、臺積電展開下代光刻技術商業(yè)化研發(fā)競爭。
三星電子此前同比利時微電子研究中心 imec 合作，在后者與 ASML 聯(lián)手建立的 High NA EUV 光刻實驗室進行了對 High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 機臺將加速三星的研發(fā)進程。
▲ ASML 首代 High NA EUV 光刻機 EXE:5000
考慮到精密的 High NA EUV 光刻機需要一段時間用于安裝和調(diào)試，該機臺有望最早于明年中旬投入研發(fā)使用。由于三星目前半導體先進制程路線圖已規(guī)劃至 SF1.4 節(jié)點（IT之家注：2027 年量產(chǎn)），采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。
三星在先進制程代工領域的兩家主要對手中，英特爾已完成第二臺 High NA EUV 光刻機安裝，臺積電的首個機臺也將于今年內(nèi)實現(xiàn)交付；此外在存儲領域，SK 海力士的首臺 High NA EUV 光刻機則有望 2026 年引入。